Des chercheurs de Stanford viennent de mettre au point un nouveau modulateur optique à base de germanium capable d’interfacer les systèmes optiques et électroniques. Traditionnellement, les possibilités de moduler un signal optique sont faibles dans le silicium par suite d’une vitesse trop faible de modulation. A contrario, les semiconducteurs III-V (tels que le GaAs ou le InP) présentent des performances bien meilleures, mais ne peuvent pas être facilement intégrés dans des composants silicium. Le nouveau dispositif utilise des puits quantiques dans une couche de germanium déposée sur un substrat silicium (effet Stark quantique confiné). Les procédés de fabrication sont compatibles avec le CMOS (complimentary metal oxide semiconductor). Le composant fonctionne à température ambiante et permettrait d’atteindre les vitesses de modulation les plus élevées requises pour les systèmes de communications optiques.

Source :

Nature (vol. 437; p. 1334-1336)

Pour en savoir plus, contacts :

– David A. B. Miller, Ginzton Laboratory Stanford University, https://www-ee.stanford.edu/~dabm/
Code brève
ADIT : 30924

Rédacteur :

Christophe Lerouge, [email protected]